ผลกระทบของอุณหภูมิวัสดุฐานรองต่อคุณสมบัติของฟิล์มออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วย อลูมิเนียมที่เตรียมด้วยเทคนิค อาร์-เอฟ แมกนีตรอนสปัตเตอริง Effect of substrate temperature on properties of Al-doped zinc oxide films prepared by RF magnetron sputtering

Abstract

ในงานวิจัยนี้ฟิล์มออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียมถูกเตรียมด้วยเทคนิค อาร์-เอฟ แมกนีตรอนสปัตเตอริง ที่อุณหภูมิวัสดุฐานรองที่แตกต่างกัน (อุณหภูมิห้อง 250 300 350 400 และ 450 ํC) และถูกอบในสุญญากาศที่อุณหภูมิ 500 ํC เพื่อศึกษาผลกระทบของอุณหภูมิวัสดุฐานรองต่อโครงสร้างผลึก และคุณสมบัติทางแสง - ไฟฟ้าของฟิล์มออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียมที่เตรียมได้ จากผลการทดลองพบว่า โครงสร้างผลึกของฟิล์มที่วัดด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์แสดงถึงโครงสร้างผลึกของออกไซด์ของสังกะสีสำหรับทุกอุณหภูมิวัสดุฐานรอง ในทำนองเดียวกันเปอร์เซ็นต์การส่องผ่านของแสงเฉลี่ยในช่วงที่ตามองเห็นมีค่ามากกว่า 80 เปอร์เซ็นต์ สำหรับคุณสมบัติทางไฟฟ้าพบว่าเมื่ออุณหภูมิวัสดุฐานรองเพิ่มสูงขึ้นมีผลทำให้พาหะนำประจุเมื่ออุณหภูมิวัสดุฐานรองเพิ่มจากอุณหภูมิห้องถึง 400 ํC แต่มีค่าลดลงเมื่ออุณหภูมิวัสดุฐานรองเพิ่มขึ้นเป็น450 ํC อย่างไรก็ตามพบว่าสภาพคล่องตัวมีค่าใกล้เคียงกัน สภาพต้านทานแผ่นที่น้อยที่สุดที่เตรียมได้มีค่าประมาณ 28.2 /sq สำหรับฟิล์มออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียมเตรียมที่อุณหภูมิวัสดุฐานรอง 400 ํC