Please use this identifier to cite or link to this item: https://publication.npru.ac.th/jspui/handle/123456789/47
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorบุญโญปกรณ์, ณรงค์ชัย-
dc.date.accessioned2018-12-06T02:59:13Z-
dc.date.available2018-12-06T02:59:13Z-
dc.date.issued2561-03-29-
dc.identifier.urihttps://publication.npru.ac.th/jspui/handle/123456789/47-
dc.description.abstractในงานวิจัยนี้ฟิล์มออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียมถูกเตรียมด้วยเทคนิค อาร์-เอฟ แมกนีตรอนสปัตเตอริง ที่อุณหภูมิวัสดุฐานรองที่แตกต่างกัน (อุณหภูมิห้อง 250 300 350 400 และ 450 ํC) และถูกอบในสุญญากาศที่อุณหภูมิ 500 ํC เพื่อศึกษาผลกระทบของอุณหภูมิวัสดุฐานรองต่อโครงสร้างผลึก และคุณสมบัติทางแสง - ไฟฟ้าของฟิล์มออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียมที่เตรียมได้ จากผลการทดลองพบว่า โครงสร้างผลึกของฟิล์มที่วัดด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์แสดงถึงโครงสร้างผลึกของออกไซด์ของสังกะสีสำหรับทุกอุณหภูมิวัสดุฐานรอง ในทำนองเดียวกันเปอร์เซ็นต์การส่องผ่านของแสงเฉลี่ยในช่วงที่ตามองเห็นมีค่ามากกว่า 80 เปอร์เซ็นต์ สำหรับคุณสมบัติทางไฟฟ้าพบว่าเมื่ออุณหภูมิวัสดุฐานรองเพิ่มสูงขึ้นมีผลทำให้พาหะนำประจุเมื่ออุณหภูมิวัสดุฐานรองเพิ่มจากอุณหภูมิห้องถึง 400 ํC แต่มีค่าลดลงเมื่ออุณหภูมิวัสดุฐานรองเพิ่มขึ้นเป็น450 ํC อย่างไรก็ตามพบว่าสภาพคล่องตัวมีค่าใกล้เคียงกัน สภาพต้านทานแผ่นที่น้อยที่สุดที่เตรียมได้มีค่าประมาณ 28.2 /sq สำหรับฟิล์มออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียมเตรียมที่อุณหภูมิวัสดุฐานรอง 400 ํCen_US
dc.subjectฟิล์มออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียมen_US
dc.subjectเทคนิค อาร์-เอฟ แมกนีตรอนสปัตเตอริงen_US
dc.subjectอุณหภูมิวัสดุฐานรองen_US
dc.titleผลกระทบของอุณหภูมิวัสดุฐานรองต่อคุณสมบัติของฟิล์มออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วย อลูมิเนียมที่เตรียมด้วยเทคนิค อาร์-เอฟ แมกนีตรอนสปัตเตอริง Effect of substrate temperature on properties of Al-doped zinc oxide films prepared by RF magnetron sputteringen_US
Appears in Collections:Conference

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ณรงค์ชัย บุญโญปกรณ์.pdf490.99 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.