Please use this identifier to cite or link to this item: https://publication.npru.ac.th/jspui/handle/123456789/217
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorทองดี, ประสิทธิ์-
dc.contributor.authorฮึงวัฒนา, ธิดารัตน์-
dc.contributor.authorหทัยรัตนานนท์, สมบัติ-
dc.contributor.authorบัวงาม, วิโรจน์-
dc.contributor.authorดิ้นสกุล, หฤทัย-
dc.contributor.authorบุญโญปกรณ์, ณรงค์ชัย-
dc.date.accessioned2018-12-07T07:59:33Z-
dc.date.available2018-12-07T07:59:33Z-
dc.date.issued2559-03-31-
dc.identifier.urihttps://publication.npru.ac.th/jspui/handle/123456789/217-
dc.description.abstractเป้าสารเคลือบของสารประกอบออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียม 2 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักถูกเตรียมขึ้นโดย กระบวนการปฏิกิริยาของของแข็ง โดยสารตั้งต้นเป็นสารประกอบออกไซด์ของสังกะสีและออกไซด์ของอลูมิเนียมซึ่งถูกผสม และบด ก่อนถูกอัดเป็นแผ่นกลมขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 63 เซนติเมตร หนา 8 มิลลิเมตร และถูกเผาผนึกที่อุณหภูมิ 1,400 องศาเซลเซียส ในบรรยากาศนาน 5 ชั่วโมง หลังจากนั้นนำเป้าสารเคลือบที่เตรียมได้ไปวิเคราะห์โครงสร้างความเป็นผลึกโดย ใช้เทคนิคการเลี้ยวเบนด้วยรังสีเอกซ์ พบว่ามีโครงสร้างผลึกที่ดี และนำมาทดลองเคลือบฟิล์มบางด้วยเทคนิคแมกนีตรอน สปัตเตอริ่ง โดยใช้เวลาในการเคลือบ 1 และ 2 ชั่งโมง และเผาในสุญญากาศที่อุณหภูมิ 500 องศาเซลเซียส นาน 1 ชั่วโมง แล้วนำมาวิเคราะห์โครงสร้างความเป็นผลึกของฟิล์ม พบว่ามีโครงสร้างของสารประกอบออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียม โดยความเป็นผลึกจะเพิ่มมากขึ้นเมื่อเวลาในการเคลือบฟิล์มเพิ่มมากขึ้นen_US
dc.subjectออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียมen_US
dc.subjectระบบ อาร์-เอฟ แมกนีตรอน สปัตเตอริ่งen_US
dc.titleการเตรียมเป้าสารเคลือบออกไซด์ของสังกะสีเจือด้วยอลูมิเนียมสำหรับการเคลือบฟิล์มบาง ระบบ อาร์-เอฟ แมกนีตรอนสปัตเตอริ่งen_US
Appears in Collections:Proceedings of the 11th NPRU National Academic Conference

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ประสิทธิ์ ทองดี.pdf384.22 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.