Please use this identifier to cite or link to this item: https://publication.npru.ac.th/jspui/handle/123456789/452
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorทองเหลี่ยม, ธวัชชัย-
dc.date.accessioned2018-12-11T08:49:38Z-
dc.date.available2018-12-11T08:49:38Z-
dc.date.issued2558-03-30-
dc.identifier.urihttps://publication.npru.ac.th/jspui/handle/123456789/452-
dc.description.abstractบทความนี้นำเสนอวงจรตามแรงดันซีมอสแบบคลาส เอบี ด้วยทรานซิสเตอร์แบบไบอัสที่ขาบอดี้ แบบเสมือน เกทลอย และไบอัสที่ขาบอดี้และแบบเกทลอยเสมือน อุปกรณ์แบบใหม่นำมาออกแบบเพื่อให้วงจรมีช่วงปฏิบัติงานกว้าง ภาคเอาต์พุตถูกต่อในลักษณะคลาส-เอบี ด้วยทรานซิสเตอร์เกทลอยเสมือน วงจรตามแรงดันเสมือนแบบคลาส-เอบี ทั้ง 3 วงจรอาศัยหลักการทำงานของวงจรป้อนกลับแบบลบ วงจรที่นำเสนอนี้ถูกออกแบบโดยใช้เทคโนโลยีซีมอสขนาด 0.18 ไมโครเมตร และทำงานภายใต้แรงดันไฟเลี้ยง 1 โวลต์ จากผลการจำลองวงจรตามแรงดันที่นำเสนอแสดงแรงดันอินพุตและ เอาต์พุตสวิงมีช่วงปฏิบัติการกว้าง ค่าความต้านทานเอาต์พุตมีค่าเท่ากับ 0.18 mΩdB, 0.23 mΩdB และ 0.7 mΩdB ที่ 10 kHzen_US
dc.subjectแรงดันไฟเลี้ยงต่ำen_US
dc.subjectวงจรตามแรงดันen_US
dc.subjectการป้อนแรงดันที่ขาบอดี้en_US
dc.subjectทรานซิสเตอร์เกทลอยเสมือนen_US
dc.subjectทรานซิสเตอร์ ป้อนแรงดันที่ขาบอดี้และเกทลอยเสมือน และช่วงปฏิบัติการกว้างen_US
dc.titleวงจรตามแรงดันซีมอสแบบคลาส เอบี ด้วยมอสทรานซิสเตอร์แบบไบอัสที่ขาบอดี้ แบบเกทลอยเสมือน และแบบไบอัสที่ขาบอดี้และเกทลอยเสมือนมีช่วงปฏิบัติการกว้างและ ทำงานที่แรงดันไฟเลี้ยงต่ำen_US
Appears in Collections:Proceedings of the 11th NPRU National Academic Conference

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ธวัชชัย ทองเหลี่ยม.pdf606.11 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.